碳化硅的主要技术性能

性质

单位

SiC(反应碳化硅)1

SSiC(无压碳化硅)2

纯净度

%

≥90

≥98

密度

g/cm3

3.05

3.1

肖氏硬度

HS

110-125

120-130

弹性模量

Mpa

4.12x105

4.10 x 10s

泊松比

0.15

0.16

抗拉强度

Mpa

2.75 x102

2.8 x 102

抗弯强度

Mpa

4.41 x102

4.9 x 102

抗压强度

Mpa

2.94 x103

3.0 x 103

热导性

W/m.k

141 (W/m.k)

147(W/m.k)

热膨胀系数

l/℃

4.3x10-6

4.0 x 10-6

抗热性(室温）

1600C

165CTC

热冲击系数

cal/cm.sec

46.5

200

耐酸性

通常的TC的5倍

耐所有化学介质

四种材料在液体中的腐蚀测试结果

测试环境

腐蚀性失重(mg/cm2yr)

试剂浓度(Wt%)

温度（℃)

TC (6%钴）

SiC1 (12% 硅）

SSiC2 (无游离硅）

陶瓷 (99%)

98% H2S04

100

>1000

55

1.8

65

50% NaOH

100

5

>1000

2.5

75

53% HF

25

8

7.9

<0.2

20

85% H3P04

100

55

8.8

<0.2

>1000

70% HN03

100

>1000

0.5

<0.2

7

45% KOH

100

3

>1000

<0.2

60

25% HCL

70

85

0.9

<0.2

72

10%HF+ 57% HN03

25

>1000

>1000

<0.2

16

碳化铭的主要技术参数

牌号

WC-Co

WC-Co

WC-Ni

YG6

YG15

YWN8

密度

14.6-15.0

13.9-14.2

14.4 ～14.8

洛氏硬度

89.5

87.0

88.0

抗弯强度

1421

2058

1470

线胀性

5.0

6.3

5.3

介质

T<200℃的油,污水,弱酸碱,脂,液化经,含颗粒介质等

强碱